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    EM6320FP16AS-70L 参数 Datasheet PDF下载

    EM6320FP16AS-70L图片预览
    型号： EM6320FP16AS-70L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [128K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 188 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM6320FP16AS-70L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM6320FP16AS-70L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM6320FP16AS-70L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM6320FP16AS-70L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM6320FP16AS-70L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM6320FP16AS-70L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6320FP16AS-70L的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6320FP16AS-70L的Datasheet PDF文件第11页  
    merging Memory & Logic Solutions Inc.
    DATA RETENTION CHARACTERISTICS
    Parameter
    V
    CC
    for Data Retention
    Data Retention Current
    Chip Deselect to Data Retention Time
    Operation Recovery Time
    NOTES
    EM610FV8T Series
    Low Power, 128Kx8 SRAM
    Symbol
    V
    DR
    I
    DR
    t
    SDR
    t
    RDR
    Test Condition
    I
    SB1
    Test Condition
    (Chip Disabled)
    1)
    Min
    1.5
    -
    0
    Typ
    2)
    -
    0.25
    -
    -
    Max
    3.6
    -
    -
    Unit
    V
    µA
    V
    CC
    =1.5V, I
    SB1
    Test Condition
    (Chip Disabled)
    1)
    See data retention wave form
    ns
    t
    RC
    -
    1. See the I
    S B 1
    measurement condition of datasheet page 4.
    2. Typical values are measured at T
    A
    =
    25
    o
    C and not 100% tested.
    DATA RETENTION WAVE FORM
    CS
    1
    Controlled
    V
    cc
    2.7V
    t
    SDR
    Data Retention Mode
    t
    RDR
    2.2V
    V
    DR
    CS
    1
    GND
    CS
    1
    > Vcc-0.2V
    CS
    2
    Controlled
    V
    cc
    2.7V
    CS
    2
    t
    SDR
    Data Retention Mode
    t
    RDR
    V
    DR
    0.4V
    CS
    2
    < 0.2V
    GND
    9

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