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EN29LV400AB-70BI 参数 Datasheet PDF下载

EN29LV400AB-70BI图片预览
型号: EN29LV400AB-70BI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
VSS
CE#
A0
标准
TSOP
FBGA
顶视图,球朝下
A6
B6
C6
D6
E6
F6
G6
H6
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE #
DQ15/A-1
VSS
A5
B5
C5
D5
E5
F5
G5
H5
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A4
B4
C4
D4
E4
F4
G4
H4
WE#
RESET#
NC
NC
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
A3
B3
C3
D3
E3
F3
G3
H3
RY / BY #
A2
NC
B2
NC
C2
NC
D2
DQ2
E2
DQ10
F2
DQ11
G2
DQ3
H2
A7
A1
A17
B1
A6
C1
A5
D1
DQ0
E1
DQ8
F1
DQ9
G1
DQ1
H1
A3
A4
A2
A1
A0
CE#
OE #
VSS
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
2
©2005宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期: 2005年1月7日