ESMT
BA1 BA0 A11 A10
1
0
0
0
A9
0
A8 A7
0
0
A6
A5 A4
DS
0
A3
0
A2 A1 A0
PASR
M52D128168A
工作温度条件-40 ° C〜 85°C
地址总线
扩展模式寄存器设置
A2-A0
000
001
PASR
010
011
100
101
111
自刷新覆盖
4Bank
2银行（ BankA& BankB ）或
(BA1=0)
1银行（班卡）或
(BA0=BA1=0)
R
R
R
R
DS
A6-A5
00
01
10
11
驱动力
充满力量
1/2强
1/4强
R
备注R：保留
扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
扩展模式寄存器存储选择PASR ; DS 。扩展模式寄存器设置必须在任何活动的进行
开机顺序后命令。扩展模式寄存器写的是在CS ， RAS，CAS ，声称WE低和高的
BA1 ，低BA0 （ SDRAM的应该是所有银行预充电与CKE已经写入扩展更多的前高
注册） 。地址引脚的状态
A0 〜一个在同一周期为CS， RAS ， CAS，WE变为低电平是写在扩展模式寄存器。请参阅下表为具体
码。
扩展模式寄存器可以通过操作，只要在使用相同的命令和时钟周期的要求而改变
因为所有的银行都处于闲置状态。默认值为扩展模式寄存器定义为半开车力量和所有银行
刷新。
内部温度补偿自刷新（ TCSR ）
注意：
1.为了节省功耗，移动-DRAM包括内部温度传感器和控制单元，以控制
自动根据三种温度范围自刷新周期： 15 ℃，45 ℃和70 ℃。
2.如果EMRS外部TCSR由控制器发出的，用于TCSR此EMRS代码将被忽略。
3，具有±5 ℃，容差
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年9月
修订： 1.0
9/47
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
