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M52D128168A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M52D128168A
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内容描述: 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 47 页 / 1134 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
M52D128168A
工作温度条件-40 ° C〜 85°C
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
参数
CLK周期时间
CLK为有效
输出延迟
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
符号
t
CC
t
SAC
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
-7.5
7.5
10
最大
1000
7
8
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
7
8
2.5
3
3
2.5
1.5
1
10
12
-10
最大
1000
9
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
2
3
3
3
3
2
输出数据保持时间
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK输出在
高阻
CAS延时= 3
CAS延时= 2
9
10
ns
*所有AC参数测量的一半一半。
注意:
1.Parameters取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.Assumed输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果潮流& TF长于1ns的,短暂的时间补偿,应考虑,即, [ (文+ TF) / 2-1]纳秒应该被添加到
参数。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年9月
修订: 1.0
6/47