ESMT
简化的真值表
命令
模式寄存器设置
注册
扩展模式寄存器
SET
自动刷新
刷新
自
刷新
条目
出口
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
自动预充电禁用
H
自动预充电启动
自动预充电禁用
H
自动预充电启动
H
H
所有银行
H
时钟暂停或
主动关机
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
无操作指令
L
H
H
H
X
L
H
L
V
X
X
H
X
H
V
H
L
H
L
L
H
L
L
H
H
X
H
X
X
H
V
X
X
V
X
X
X
X
X
X
L
L
H
L
H
H
L
L
X
L
H
L
L
X
L
H
L
H
H
X
H
L
H
X
L
L
L
H
H
L
L
H
X
L
L
H
X
H
L
L
L
L
CKEn-1
CKEN
CS RAS CAS
M52D128168A
工作温度条件-40 ° C〜 85°C
WE
DQM BA0 A10 / AP
BA1
X
A11
A9~A0
记
操作码
1,2
3
H
H
X
H
H
X
X
X
X
X
V
V
H
L
X
X
V
X
X
H
L
V
H
X
3
3
X
行地址
L
COLUMN
地址
(A0~A8)
COLUMN
地址
(A0~A8)
X
X
3
4
4,5
4
4,5
6
突发停止
银行的选择
预充电
X
X
V
X
X
X
H
X
X
V
V
X
H
X
X
X
7
X
X
X
（V =有效，X =无关。 H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意：
1.OP代码：操作码
A0 〜 A11 & BA0 〜 BA1 ：程序键。 （ @太太） 。 BA1 = 0，刘健和BA1 = 1 EMRS
2.MRS / EMRS只能在所有银行预充电状态下发出的。
一个新的命令后2 CLK周期MRS / EMRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
没有命令行预充电的预充电自然而然由“自动”的意思。
只能在所有银行闲置状态，发出自动/自刷新。
4.BA0 〜 BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是在读“低” ，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果两个BA0为“低”和BA1是“高” ，在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果两个BA0为“高”和BA1是“低” ，在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是“高” ，在读，写，行积极和预充电，银行选择D
如果A10 / AP是“高”的行预充电， BA0和BA1被忽略，所有的银行都被选中。
5.During突发读取或者自动预充电写。新的读/写命令不能发出。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在激进党爆结束后发放。
6.Burst停止命令是在每一个突发长度有效。
7.DQM取样的一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿（写入DQM延迟是0 ），但
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年9月
修订： 1.0
7/47
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
