ESMT
AC运行试验条件
(V
DD
=1.8V
±
0.1V,T
A
= -40 °C ~ 85 °C )
参数
价值
输入电平（ VIH / VIL）
0.9× V
DDQ
/ 0.2
输入定时测量参考电平
0.5× V
DDQ
输入上升和下降时间
潮流/ TF = 1/1的
输出定时测量参考电平
0.5× V
DDQ
输出负载条件
见图2
1.8V
M52D128168A
工作温度条件-40 ° C〜 85°C
单位
V
V
ns
V
VTT = 0.5× VDDQ
13.9K
50
产量
VOH （ DC ）= VDDQ - 0.2V ， IOH = -0.1mA
VOL （ DC ） = 0.2V ， IOL = 0.1毫安
产量
Z0=50
20 pF的
10.6K
20 pF的
（图1 ）直流输出负载电路
（图2 ） AC输出负载电路
经营AC参数
（交流工作条件，除非另有说明）
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
@Operating
@Auto刷新
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在过去的数据来行预充电
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
模式寄存器命令来激活或刷新命令
符号
t
RRD
（分钟）
t
RCD
（分钟）
t
RP
（分钟）
t
RAS
（分钟）
t
RAS
（最大）
VERSION
-7.5
15
15
15
48
100
67.5
80
1
2
1
1
2
2
1
64
90
-10
20
20
20
50
单位
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
ea
ms
记
1
1
1
1
-
1
1,5
2
2
2
3
-
4
6
行周期时间
t
RC
（分钟）
t
RFC
（分钟）
t
CDL
（分钟）
t
RDL
（分钟）
t
BDL
（分钟）
t
CCD
（分钟）
t
MRD
（分钟）
CAS延时= 3
CAS延时= 2
的有效输出数据的数量
刷新周期（ 4096行）
t
REF
（最大）
注意：
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期时间和所需要的最小时间来确定
然后四舍五入到下一个较大整数。
3.最小的延迟才能完成写操作。
4.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
5.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
最早的一个预充电命令可以读出指令后没有数据的丢失被发出是CL + BL-2时钟
5.新的命令，可给予吨
RFC
后自刷新退出。
6，最多八个连续自动刷新命令（与T
RFCMIN
）可以发布到任何给定的SDRAM和
任何自动刷新命令和下一个自动刷新命令之间的最大间隔时间绝对是
8x15.6μs.)
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年9月
修订： 1.0
5/47
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
