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MUN2132RT1 参数 Datasheet PDF下载

MUN2132RT1图片预览
型号: MUN2132RT1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 282 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MUN2111RT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
50
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
V
CE ( SAT )
-
-
-
V
OL
-
-
0.2
-
-
-
0.25
0.25
0.25
VDC
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
最大
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VDC
单位
NADC
NADC
MADC
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50V ,我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
MUN2111RT1
MUN2112RT1
MUN2113RT1
MUN2114RT1
MUN2115RT1
MUN2116RT1
MUN2130RT1
MUN2131RT1
MUN2132RT1
MUN2133RT1
MUN2134RT1
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
µA,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= 2.0毫安,我
B
=0)
(3)
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE
VDC
VDC
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
(3)
MUN2111RT1
MUN2112RT1
MUN2113RT1
MUN2114RT1
MUN2115RT1
MUN2116RT1
MUN2130RT1
MUN2131RT1
MUN2132RT1
MUN2133RT1
MUN2134RT1
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 10毫安,我
E
=0.3mA)
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
MUN2111RT1 MUN2112RT1
MUN2113RT1 MUN2114RT1 MUN2115RT1 MUN2130RT1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5.0 mA)的
MUN2131RT1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0 mA)的
MUN2116RT1 MUN2132RT1
MUN2134RT1
输出电压(上)
(V
CC
=5.0V,V
B
= 2.5V ,R
L
=1.0kΩ)
MUN2111RT1
MUN2112RT1 MUN2114RT1 MUN2115RT1 MUN2116RT1
MUN2130RT1 MUN2131RT1 MUN2132RT1 MUN2133RT1
MUN2134RT1
(V
CC
=5.0V,V
B
= 3.5V ,R
L
= 1.0kΩ)
MUN2113RT1
-
-
0.2
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300毫秒,占空比< 2.0 %
P1–2/7