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MUN2132RT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MUN2132RT1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 282 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MUN2111RT1系列
典型电气特性
MUN2111RT1
P
D
,功耗(毫瓦)
250
V
CE (SAT)
最大集电极电压(伏)
1
I
C
/I
B
=10
T
A
= –25°C
200
25°C
150
0.1
75°C
100
50
R
θJA
= 625 ° C / W
0
–50
0
50
10
150
0.01
0
20
40
60
80
环境温度( ℃)
图1.降额曲线
h
FE
,直流电流增益(标准化)
I
C
,集电极电流(毫安)
图2. V
CE ( SAT )
与我
C
1000
V
CE
= 10 V
4
Ç OB ,电容(pF )
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
3
T
A
= 25°C
T
A
=75°C
25°C
100
–25°C
2
1
10
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.直流电流增益
V
R
,反向偏置电压(伏)
图4.输出电容
100
75°C
25°C
100
V
in
,输入电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
V
O
= 0.2 V
10
T
A
= –25°C
1
10
T
A
= –25°C
25°C
75°C
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
V
O
= 5 V
0.1
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
V
in
,输入电压(伏)
图5.输出电流与输入电压
I
C
,集电极电流(毫安)
图6.输入电压与输出电流
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