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MUN2132RT1 参数 Datasheet PDF下载

MUN2132RT1图片预览
型号: MUN2132RT1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 282 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MUN2111RT1系列
典型电气特性
MUN2114RT1
1
h
FE
,直流电流增益(标准化)
V
CE (SAT)
最大集电极电压(伏)
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
4
6
8
10
15
20
40
50
60
70
80
90 100
I
C
/I
B
=10
T
A
= –25°C
25°C
75°C
V
CE
= 10V
25°C
–25°C
T
A
=75°C
0.1
0.01
0
10
20
30
40
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图17. V
CE ( SAT )
与我
C
4.5
100
图18.直流电流增益
I
C
,集电极电流(毫安)
4
Ç OB ,电容(pF )
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
T
A
= 75°C
25°C
–25°C
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
15
20
25
30
10
V
O
= 5 V
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
35
40
45
50
V
R
,反向偏置电压(伏)
V
in
,输入电压(伏)
图19.输出电容
图20.输出电流与输入电压
10
12 V
V
O
= 0.2 V
T
A
= –25°C
25°C
V
in
,输入电压(伏)
75°C
1
典型用途
对于PNP BRTS
负载
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图21.输入电压与输出电流
图22.物美价廉,非常规电流
来源
P1–7/7