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MUN2132RT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MUN2132RT1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 282 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MUN2111RT1系列
典型电气特性
MUN2113RT1
1
h
FE
,直流电流增益(标准化)
V
CE (SAT)
最大集电极电压(伏)
1000
I
C
/I
B
=10
T
A
=75°C
25°C
–25°C
100
T
A
= –25°C
25°C
0.1
75°C
0.01
0
10
20
30
40
10
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图12. V
CE ( SAT )
与我
C
1
100
图13.直流电流增益
Ç OB ,电容(pF )
0.8
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
I
C
,集电极电流(毫安)
F = 1 MHz的
T
A
= 75°C
10
25°C
–25°C
0.6
1
0.4
0.1
0.2
0.01
V
O
= 5 V
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
10
20
30
40
50
V
R
,反向偏置电压(伏)
V
in
,输入电压(伏)
图14.输出电容
图15.输出电流与输入电压
100
V
in
,输入电压(伏)
V
O
= 0.2 V
T
A
=–25°C
25°C
10
75°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图16.输入电压与输出电流
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