EtronTech
BALL分配（顶视图）
1
2
3
4
5
6
7
EM636165
引脚配置（顶视图）
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
LDQM
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
CS ＃
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
VSS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
A
VSS
DQ15
DQ0
VDD
B
DQ14
VSSQ
VDDQ
DQ1
C
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
D
DQ12
DQ11
DQ4
DQ3
E
DQ10
VSSQ
VDDQ
DQ5
F
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
G
DQ8
NC
NC
DQ7
H
NC
NC
NC
NC
J
NC
UDQM
LDQM
WE＃
K
NC
CLK
RAS ＃
CAS ＃
L
CKE
NC
NC
CS ＃
M
A11
A9
NC
NC
N
A8
A7
A0
A10
P
A6
A5
A2
A1
R
VSS
A4
A3
VDD
概观
该EM636165 SDRAM是一种含有16兆比特的高速CMOS同步DRAM 。它在内部配置
作为双512K字×16的DRAM与同步接口（所有信号上注册的上升沿
时钟信号CLK ） 。每一个512K ×16位的银行组织的2048行，256列16位。阅读和
写访问的SDRAM是突发式;存取开始在一个选定的位置，并继续进行编程
在编程顺序位置号。访问开始用BankActivate命令注册
，然后接着是读或写命令。
的EM636165提供了可编程的读或写的1，2， 4，8，或整页突发的长度，用一个脉冲串
终止选项。自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电，在被启动，它将
色同步信号序列的末端。刷新功能，自动或自刷新易于使用。由具有
可编程的模式寄存器，系统可以选择最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。这些
器件非常适用于需要高存储器带宽并且特别适合于高的应用
高性能PC应用程序
初步
2
第2.7版2006年3月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
