EtronTech
引脚说明
符号
CLK
TYPE
输入
1M ×16 SDRAM
EM636165
表1. EM636165的引脚的详细信息
描述
时钟：
CLK是系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号是
采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部爆裂
计数器和控制输出寄存器。
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。如果
CKE变低同步于时钟（设置和保持时间相同，其他
输入） ，内部时钟从下一个时钟周期的状态悬浮
输出和脉冲串地址，只要所述CKE保持低电平被冻结。当
两个银行是处于空闲状态时，去激活所述时钟控制输入到
关机和自刷新模式。 CKE是同步的，除了后
器件进入掉电和自刷新模式，在CKE变
异步直到退出同一模式。输入缓存器，其中包括CLK，
在掉电和自刷新模式将被禁用，提供低
备用电源。
银行选择：
A11 （ BS）定义了该银行的BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。
地址输入：
A0 - A10是在BankActivate指令周期内采样（行
地址A0 - A10）和读/写命令（列地址A0 -A7与A10
定义自动预充电），选择一个位置了256K的可用
各银行。在一个预充电命令，A10进行采样，以确定是否
两家银行将被预充电（ A10 =高） 。地址输入还提供了
一个模式寄存器设置命令在操作码。
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的
命令解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。
CS ＃为与多家银行系统外的银行选择。这是
的命令代码组成部分。
行地址选通：
在RAS ＃信号定义的操作命令
与CAS ＃一起和WE ＃信号，并锁定在正边缘
的CLK 。当RAS ＃和CS ＃断言"LOW"和CAS ＃是断言
"HIGH ， "要么BankActivate命令或预充电命令
由WE＃信号的选择。当WE＃为有效"HIGH ， "的
BankActivate命令被选中，由BS指定的银行接通
到活动状态。当WE＃为有效"LOW ， "的预充电命令
被选择和由BS指定的银行后，被切换到空闲状态
预充电操作。
列地址选通：
在CAS ＃信号定义的操作命令
与RAS ＃结合和WE＃信号，并锁存于正沿
的CLK 。当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃是断言"LOW ， "列
访问是由断言CAS ＃ "LOW."开始之后，读或写命令
选择WE＃置"LOW"或"HIGH."
写使能：
WE＃信号定义一起使用时的操作命令
与RAS ＃和CAS ＃信号，并锁存于CLK的上升沿。
在WE ＃的输入，用于选择BankActivate或预充电命令
读或写命令。
CKE
输入
A11
A0-A10
输入
输入
CS ＃
输入
RAS ＃
输入
CAS ＃
输入
WE＃
输入
初步
4
第2.7版2006年3月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
