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    2SK3673-01MR 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3673-01MR图片预览
    型号： 2SK3673-01MR
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    内容描述： N沟道硅功率MOSFET [N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 115 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2SK3673-01MR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3673-01MR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3673-01MR的Datasheet PDF文件第3页  
    2SK3673-01MR
    FUJI POWER MOSFET
    10
    2
    Maximum Avalanche Current Pulsewidth
    I
    AV
    =f(t
    AV
    ):starting Tch=25
    °
    C,Vcc=70V
    Avalanche Current I
    AV
    [A]
    Single Pulse
    10
    1
    10
    0
    10
    -1
    10
    -8
    10
    -2
    10
    -7
    10
    -6
    10
    -5
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    t
    AV
    [sec]
    10
    1
    Maximum Transient Thermal Impedance
    Zth(ch-c)=f(t):D=0
    10
    0
    Zth(ch-c) [
    °
    C/W]
    10
    -1
    10
    -2
    10
    -3
    10
    -6
    10
    -5
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    10
    0
    t [sec]
    http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
    4

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