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GS74117AX-12 参数 Datasheet PDF下载

GS74117AX-12图片预览
型号: GS74117AX-12
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内容描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步 [256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 347 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74117AX
AC Test Conditions
Parameter
Input high level
Input low level
Input rise time
Input fall time
Input reference level
Output reference level
Output load
Conditions
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
tr = 1 V/ns
tf = 1 V/ns
1.4 V
1.4 V
Fig. 1& 2
Output Load 1
DQ
50Ω
VT = 1.4 V
30pF
1
Output Load 2
3.3 V
DQ
5pF
1
589Ω
434Ω
Note:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Output load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
Rev: 1.02 10/2002
5/12
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.