2SK1152 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1152
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 51 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SK1151 （L）（S） - ， 2SK1152 （L）（S）

功率与温度降额

通道耗散P沟（W）的

最高安全工作区

AR元

由EA在

R是离子

ð S

在李米

余吨

他特德

漏电流I

(A)

1.0

0.3

0.1

0.03

TIO

)

°C

)

2SK1151

TA = 25°C

2SK1152

0.01

100

案例温度T

(°C)

150

1,000

100

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

2.0

脉冲测试

15 V

2.0

10 V

4.5 V

1.2

1.6

漏电流I

(A)

典型的传输特性

= 20 V

脉冲测试

1.6

漏电流I

(A)

1.2

0.8

0.4

= 3.5 V

漏极至源极电压V

(V)

0.8

75°C

0.4

= 25°C

栅极至源极电压V

(V)

–25°C

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