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2SK1152 参数 Datasheet PDF下载

2SK1152图片预览
型号: 2SK1152
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 51 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1151 (L) (S) - , 2SK1152 (L) (S)
体漏二极管反向
恢复时间
1,000
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
500
的di / dt = 100A / μs的,TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
1,000
典型电容
与漏极至源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
100
科斯
10
200
100
50
20
10
0.05
1
0
电容C (PF )
CRSS
0.1 0.2
0.5 1.0
2
反向漏电流I
DR
(A)
5
10
20
30
40
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
动态输入特性
500
100 V
漏极至源极电压V
DS
(V)
250 V
400
V
DS
400 V
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
50
开关时间t( NS )
20
100
开关特性
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
µs,
值班< 1 %
t
D(关闭)
20
t
f
10
5
t
D(上)
t
r
2
1
0.05
300
V
GS
200
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
2
I
D
= 1.5 A
12
8
100
4
0
4
6
8
栅极电荷Qg ( NC )
0
10
0.1
0.2
0.5 1.0
2
漏电流I
D
(A)
5
6