2SK1152 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1152
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 51 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SK1151 （L）（S） - ， 2SK1152 （L）（S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

2.0

反向漏电流I

(A)

1.6

脉冲测试

1.2

0.8

0.4

5 V,10 V

=0, –10V

0.4

0.8

1.2

1.6

源极到漏极电压V

(V)

2.0

归瞬态热阻抗

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

1.0

= 25°C

θch -C （ T）

(t) ·

θch -C

= 6.25 ° C / W ，T

= 25°C

D = PW

0.02

0.03

0.01

OT P

ULSE

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

0.01

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

VIN

VOUT

Ω

VIN = 10 V

= 30 V

TD （上）

90 %

TD （关闭）

10 %

Wavewforms

90 %

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