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2SK1152 参数 Datasheet PDF下载

2SK1152图片预览
型号: 2SK1152
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 51 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1151 (L) (S) - , 2SK1152 (L) (S)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
20
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
100
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
16
12
2A
8
1A
I
D
= 0.5 A
0
4
8
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
20
10
5
15 V
4
2
1
0.05
0.1
0.2
0.5 1.0
2
漏电流I
D
(A)
5
静态漏源导通状态
电阻与温度
通态电阻,静态漏源
R
DS ( ON)
(Ω)
10
I
D
= 2 A
8
V
GS
= 10 V
脉冲测试
正向转移导纳
yfs
(S)
5
2
1.0
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
6
1A
0.5 A
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
75°C
4
2
0
–40
0
40
80
120
案例温度T
C
(°C)
160
0.05
0.1
0.5 1.0
0.2
2
漏电流I
D
(A)
5
5