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    2SK1968 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1968图片预览
    型号： 2SK1968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 50 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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    2SK1968
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    注意事项1. PW
    ≤
    10
    µs,
    占空比
    ≤
    1 %
    2.价值在Tc = 25℃
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    I
    DR
    PCH *
    2
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    600
    ±30
    12
    48
    12
    100
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    2

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