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    2SK1968 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1968图片预览
    型号： 2SK1968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 50 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK1968
    功率与温度降额
    200
    P沟（W）的
    最高安全工作区
    100
    30
    10
    10
    µ
    0µ
    s
    (A)
    150
    10
    s
    功耗
    100
    50
    漏电流
    1m
    DC
    PW
    =
    s
    Op
    1
    er
    0 m
    at
    3
    离子
    s(1
    (T
    笑
    c =
    t)
    在这
    1
    Operationby ř区
    25
    被限制
    DS （ ON）
    °C
    )
    I
    D
    0.3
    0.1
    5
    TA = 25°C
    10
    30
    100
    漏源极电压
    300
    1000
    V
    DS
    (V)
    0
    50
    100
    外壳温度
    150
    TC （ ℃）
    200
    典型的输出特性
    20
    10 V
    (A)
    16
    6V
    5V
    脉冲测试
    (A)
    典型的传输特性
    20
    脉冲测试
    V
    DS
    = 20 V
    16
    I
    D
    I
    D
    漏电流
    12
    4.5 V
    8
    12
    TC = 75℃
    8
    25°C
    –25°C
    4
    漏电流
    4
    V
    GS
    = 4 V
    0
    10
    20
    30
    漏源极电压
    40
    V
    DS
    (V)
    50
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    4

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