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    2SK1968 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1968图片预览
    型号： 2SK1968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 50 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK1968
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    20
    脉冲测试
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    5
    16
    15 A
    12
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    2
    1
    0.5
    V
    GS
    = 10 V
    8
    10 A
    I
    D
    =5A
    4
    0.2
    脉冲测试
    0.1
    1
    2
    5
    10
    漏电流
    20
    50
    I
    D
    (A)
    100
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (
    Ω
    )
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    脉冲测试
    V
    GS
    = 10 V
    1.6
    正向转移导纳| Y
    fs
    | (S)
    2.0
    50
    正向转移导纳主场迎战
    漏电流
    脉冲测试
    V
    DS
    = 20 V
    20
    10
    5
    TC = -25°C
    25°C
    75°C
    1.2
    10 A
    0.8
    I
    D
    = 5 A
    2
    1
    0.5
    0.1 0.2
    0.4
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    0.5 1
    2
    5 10
    漏电流I
    D
    (A)
    20
    5

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