欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    2SK1968 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1968图片预览
    型号： 2SK1968
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 50 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第9页浏览型号2SK1968的Datasheet PDF文件第10页  
    2SK1968
    反向漏电流和源到
    漏极电压
    20
    I
    DR
    (A)
    反向漏电流
    脉冲测试
    16
    12
    V
    GS
    = 0, –5 V
    10 V
    8
    4
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    源极到漏极电压
    1.6
    V
    SD
    2.0
    (V)
    正常的瞬态热阻抗与PUSLE宽度
    3
    归瞬态热阻抗
    γ
    秒（ t）的
    1
    D=1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.3
    0.1
    0.05
    0.02
    0.0
    1
    θ
    CH - C （ T） =
    γ
    S（ T） •
    θ
    CH - C
    θ
    CH - C = 1.25
    ° C / W ，
    TC = 25
    °C
    PDM
    PW
    T
    D=
    0.03
    ho
    1s
    LSE
    Pu
    t
    PW
    T
    0.01
    10
    µ
    100
    µ
    1m
    10 m
    脉冲宽度
    100 m
    PW （S ）
    1
    10
    7

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6