GM71V18163C
GM71VS18163CL
15.这些参数被称为UCAS和LCAS前缘在早期的写周期，并
WE前缘在延迟写入或读 - 修改 - 写周期。
16. t
RASP
定义EDO模式循环RAS脉冲宽度。
17.获取时间由T的再确定
AA
或T
CAC
或T
ACP
.
18.在延迟写入或读 - 修改 - 写周期， OE必须禁止输出缓冲器申请之前，
数据到该设备。 RAS是复位后，如果T
OEH
＆ GT ; = T
CWL
，在I / O引脚将保持开路（高
阻抗） ：若T
OEH
＆ LT ; = T
CWL
，无效数据会出在每个I / O 。
19.当两个LCAS和无人战斗机变低的同时，所有的16位数据被写入到
装置。 LCAS和UCAS不能在同一个读/写周期错开。
20.所有在VCC和VSS引脚应使用相同的电压供应。
21. t
ASC ，
t
CAH
, t
RCS
, t
WCS
, t
WCH
, t
企业社会责任
和T
RPC
由无人战斗机的早期下降沿确定
和LCAS 。
22. t
CRP
, t
CHR
, t
RCH
, t
ACP
和T
CPW
通过UCAS或LCAS的存货上升沿来确定。
23. t
CWL
, t
DH
, t
DS
和T
CHS
应该由双方UCAS和LCAS来满足。
24. t
CP
由这两个UCAS和LCAS是高的时间来确定。
25. t
HPC
（分）可以在一系列EDO作出页面写周期或EDO模式来实现
写周期。这两个写和读操作的混合在EDO模式的RAS周期（EDO
模式组合循环（1） ， CAS周期的（2））的最低值（叔
CAS
+t
CP
+ 2TT ）变为大于
指定的T
HPC
（最小）值。的混合模式EDO CAS周期时间值显示
在EDO模式混合周期（ 1 ）和（ 2 ） 。
26.当启用一次输出缓冲器，维持低阻抗状态，直到有效数据
被获得。当输出缓冲器被打开和关闭非常短的时间内，一般
它会导致较大的VCC / VSS布线噪声，这将导致降低V
IH
最小/ V
IL
最高水平。
27.数据输出关断，并成为从RAS和CAS后来上升沿高阻抗。
保持时间和关闭时间是由后面的上升边缘的定时规范指定
RAS和CAS吨之间
高级代表办事处
和T
OH
之间，并且吨
OFR
和T
关闭
.
28. EDO高阻控制通过OE或WE 。 OE上升沿禁用数据输出。当OE为高电平
CAS高时，数据不会出来，直到下一次CAS的访问。当我们变低
CAS高时，数据不会出来，直到下一次CAS的访问。
29.请不要用吨
RASS
时序， 10us< = T
RASS
< = 100us的。在此期间，该装置是在
从正常运行模式，在自刷新模式转换状态。如果T
RASS
> = 100us的话
RAS
30. H或L（ H： V
IH
（分钟） < = V
IN
< = V
IH
（最大） ，L： V
IL
（分钟） < = V
IN
< = V
IL
（最大值） ）
修订版0.1 / Apr'01
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
