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    H5MS1G22MFP-E3M 参数 Datasheet PDF下载

    H5MS1G22MFP-E3M图片预览
    型号： H5MS1G22MFP-E3M
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1Gbit的移动DDR SDRAM的基础上8M X 4Bank X32的I / O [1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 63 页 / 2455 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第1页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第4页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第5页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第6页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第7页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第8页浏览型号H5MS1G22MFP-E3M的Datasheet PDF文件第9页  
    移动DDR SDRAM的1Gbit （ 32M X 32位）
    H5MS1G22MFP系列/ H5MS1G32MFP系列
    文档标题
    1千兆位（ 4Bank X 8M X 32位）移动DDR SDRAM
    修订历史
    版本号
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    1.0
    1.1
    1.2
    - 初稿
    - 自定义IDD6电流规格。
    - 插入IDD8规格。值（见第23页）
    - 修改： IDD5 ：100mA在--> 120毫安
    IDD6 （ @ 45
    o
    C,
    全行） ： 450uA -->电流降至500uA
    - 最终版本
    - 修改： IDD6 （ @ 45
    o
    C,
    全行） ：电流降至500uA --> 450uA
    IDD6 （ @ 85
    o
    C,
    一家银行） ： 550uA -->电流降至500uA
    - 插入DDR400 DC / AC特性
    历史
    草案日期
    2007年9月
    2007年12月
    2007年12月
    2008年1月
    2008年3月
    五月。 2008年
    2008年6月
    备注
    初步
    初步
    初步
    初步
    修订版1.2 / 2008年6月
    2

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