HYMD232646B(L)8-M/K/H/L
简化的命令真值表
命令
扩展模式寄存器设置
模式寄存器设置
设备取消
H
无操作
银行主动
读
H
阅读Autoprecharge
写
H
与Autoprecharge写
预充电所有银行
H
预充电选择银行
阅读突发停止
自动刷新
条目
自刷新
出口
L
H
L
H
预充电
掉电
模式
条目
H
L
L
H
出口
L
H
L
H
有功
Down模式
条目
出口
H
L
L
L
H
V
X
V
V
X
1
1
H
X
H
X
H
X
1
1
H
X
H
X
H
X
X
1
1
H
X
H
X
H
X
1
H
H
H
X
H
L
L
L
L
H
H
L
L
X
H
L
L
X
L
H
H
X
X
1
X
L
L
H
L
X
L
X
X
V
1
1
1
1
X
L
H
L
L
CA
H
H
X
X
L
H
L
H
CA
H
L
V
1,4
1,5
H
X
X
L
L
H
L
H
H
H
H
RA
L
V
1,3
1
V
1
1
CKEn-1
H
H
CKEN
X
X
/ CS
L
L
H
/ RAS
L
L
X
/ CAS
L
L
X
/ WE
L
L
X
X
1
ADDR
A10/
AP
操作码
操作码
BA
记
1,2
1,2
（ H =逻辑高电平， L =逻辑低电平， X =无所谓，V =有效数据输入， OP代码=操作数代码， NOP =不操作）
注意：
1. DM状态都不在乎。请参考下面写屏蔽真值表。
2. OP码（操作数代码）由A的
0
~A
12
和BA
0
〜 BA
1
用于注册模式扩展出版过多部黄或黄。
在进入模式寄存器设置模式下，所有银行都必须在可激进党后发出预充电状态和MRS指令
期间Prechagre命令。
3.如果读与Autoprecharge命令由存储器组件中的CK （n）的检测，然后将没有呈现命令
要激活的银行，直到CK （N + BL / 2 + T
RP
).
4.如果有Autoprecharge命令写入是由CK （ n）的内存组件检测到，那么就没有给出命令
到活化的银行直到CK的第（n + BL / 2 + 1 +吨
DPL
+t
RP
） 。最后的数据进行Prechage延迟（T
DPL
），这也被称为写恢复时间
（ tWR的）是必要的，以保证最后的数据已被完全写入。
5.如果
10
/ AP为高时，发出行预充电命令， BA
0
/ BA
1
被忽略，并且所有的银行被选择为
预充电。
修订版0.2 /十二月02
12
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
