HYMD232646B(L)8-M/K/H/L
直流特性II
（ TA = 0 〜70
o
C，电压参考V
SS
= 0V)
参数
符号
测试条件
一家银行;主动预充电;的tRC =的tRC （分钟） ;
TCK TCK = （分钟） ; DQ ， DM和DQS输入
每个时钟周期改变两次;地址
控制输入每个时钟周期改变一次
一家银行;主动 - 读预充电;爆
长度= 2;的tRC =的tRC （分钟） ; TCK TCK = （分钟） ;
地址和控制输入每改变一次
时钟周期
所有银行闲置;掉电模式; CKE =低，
TCK TCK = （分钟）
/ CS =高，所有的银行闲置; TCK TCK = （分钟） ;
CKE =高;地址和控制输入
每个时钟周期改变一次。 VIN = VREF
针对DQ ， DQS和DM
一家银行主动;掉电模式;
CKE =低， TCK TCK = （分钟）
/ CS = HIGH ; CKE =高;一家银行;活跃
预充电;的tRC = tRAS的（最大） ; TCK TCK = （分钟） ;
DQ ， DM和DQS输入两次改变每
时钟周期;地址和其它控制输入
每个时钟周期改变一次
突发= 2;读取;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入变化
一旦每个时钟周期; TCK TCK = （分钟） ;
IOUT=0mA
突发= 2;写;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入变化
一旦每个时钟周期; TCK TCK = （分钟） ; DQ ， DM ，
和DQS输入两次改变每个时钟
周期
的tRC = tRFC （分钟） - 8 * TCK的DDR200的
100Mhz的， 10 * TCK的DDR266A & DDR266B
在133Mhz的;分布式刷新
CKE = <0.2V ;外部时钟;
TCK TCK = （分钟）
正常
低功耗
2520
2440
速度
-M
-K
-H
-L
单位
记
工作电流
IDD0
840
760
760
720
mA
工作电流
IDD1
1200
1040
1040
960
mA
预充电电源
向下待机电流
IDD2P
160
mA
空闲待机电流
IDD2F
400
320
320
280
mA
主动关机
待机电流
IDD3P
200
mA
主动待机
当前
IDD3N
480
400
400
400
mA
工作电流
IDD4R
2320
2000
2000
1520
工作电流
IDD4W
2320
2000
2000
1520
mA
自动刷新当前
IDD5
1840
1680
1680
1560
24
12
2440
2240
mA
mA
mA
自刷新电流
工作电流 -
四银行业务
IDD6
IDD7
四大银行在配备BL交织= 4请参阅
详细的测试条件下页
修订版0.2 /十二月02
8
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
