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HY27US08121B 参数 Datasheet PDF下载

HY27US08121B图片预览
型号: HY27US08121B
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内容描述: 512Mbit的( 64Mx8bit / 32Mx16bit )NAND闪存 [512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 16 页 / 234 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HYMD232646B(L)8-M/K/H/L
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
DDR266(2-2-2)
参数
行周期时间
自动刷新行周期时间
行活动时间
主动阅读与自动
预充电延迟
行地址到列
地址的延迟
行有效至行主动延迟
列地址到列
地址的延迟
行预充电时间
写恢复时间
写读命令延迟
自动预充电写恢复
+预充电时间
系统时钟
周期
CL = 2.5
t
CK
CL = 2
t
CH
t
CL
t
AC
t
DQSCK
t
DQSQ
t
QH
t
HP
t
QHS
t
DV
t
HZ
t
LZ
7.5
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
t
HP
-t
QHS
( TCL , TCH)
-
12
0.55
0.55
0.75
0.75
0.5
-
-
0.75
7.5
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
t
HPmin
-t
QHS
( TCL , TCH)
-
12
0.55
0.55
0.75
0.75
0.5
-
-
0.75
10
0.45
0.45
-0.75
-0.75
-
t
HPmin
-t
QHS
( TCL , TCH)
-
12
0.55
0.55
0.75
0.75
0.5
-
-
0.75
10
0.45
0.45
-0.8
-0.8
-
t
HPmin
-t
QHS
( TCL , TCH)
-
12
0.55
0.55
0.8
0.8
0.6
-
-
0.75
ns
CK
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
17
17
1, 10
1,9
10
符号
t
RC
t
RFC
t
RAS
t
RAP
t
RCD
t
RRD
t
CCD
t
RP
t
WR
t
WTR
t
DAL
60
75
45
15
15
15
1
15
15
1
( tWR的/ TCK )
+
(TRP / TCK )
DDR266A
65
75
45
20
20
15
1
20
15
1
( tWR的/ TCK )
+
(TRP / TCK )
DDR266B
65
75
45
20
20
15
1
20
15
1
( tWR的/ TCK )
+
(TRP / TCK )
DDR200
单位
最大
-
-
120K
-
-
-
-
-
-
-
-
12
最大
-
-
120K
-
-
-
-
-
-
-
-
12
最大
-
-
120K
-
-
-
-
-
-
-
-
12
70
80
50
20
20
15
1
20
15
1
( tWR的/ TCK )
+
(TRP / TCK )
最大
-
-
120K
-
-
-
-
-
-
-
-
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CK
ns
ns
CK
CK
ns
15
16
7.5
7.5
7.5
8.0
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
数据输出边缘时钟边沿
SKEW
DQS -出边缘时钟边沿
SKEW
DQS -出边缘数据输出边缘
SKEW
从DQS数据输出保持时间
时钟半周期
数据保持倾斜因子
有效数据输出窗口
数据输出高阻抗
从CK窗口, / CK
数据输出低阻抗窗口
从CK , / CK
t
QH
-t
DQSQ
-0.75
-0.75
0.75
0.75
t
QH
-t
DQSQ
-0.75
-0.75
0.75
0.75
t
QH
-t
DQSQ
-0.75
-0.75
0.75
0.75
t
QH
-t
DQSQ
-0.8
-0.8
0.8
0.8
修订版0.2 /十二月02
9