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IS61C512-20N 参数 Datasheet PDF下载

IS61C512-20N图片预览
型号: IS61C512-20N
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内容描述: 64K ×8高速CMOS静态RAM [64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 425 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS61C512
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
,输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–2
–2
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
µA
µA
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
测试条件
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时, F = 0
COM 。
IND 。
-15 NS
分钟。马克斯。
70
125
25
-20 NS
分钟。马克斯。
70
90
115
135
25
30
-25 NS
分钟。马克斯。
70
90
105
125
25
30
-35 NS
分钟。马克斯。
70
90
90
115
25
30
单位
mA
mA
mA
V
CC
=最大,
COM 。
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
IND 。
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
V
IH
or
CE2
V
IL
, f = 0
COM 。
IND 。
I
SB
2
CMOS待机
电流( CMOS输入)
V
CC
=最大,
COM 。
CE1
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2
0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
750
750
1
750
1
750
1
µA
mA
注意事项:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 5.0V 。
集成电路解决方案公司
SR011-0B
3