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IS61C512-20N 参数 Datasheet PDF下载

IS61C512-20N图片预览
型号: IS61C512-20N
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内容描述: 64K ×8高速CMOS静态RAM [64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 425 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS61C512
写周期开关特性
(1,3)
(以上经营范围)
符号
参数
写周期时间
CE1
撰写完
CE2撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
-15 NS
分钟。马克斯。
15
12
12
12
0
0
10
8
0
2
7
-20 NS
分钟。马克斯。
20
15
15
15
0
0
12
10
0
2
10
-25 NS
分钟。马克斯。
25
20
20
20
0
0
15
12
0
2
12
-35 NS
分钟。马克斯。
35
30
30
30
0
0
20
15
0
2
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
1
t
SCE
2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
(4)
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
WE
从低到高-Z输出
t
LZWE
(2)
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V
和指定的图1a的输出负载。
2.测试,与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE1
LOW , HIGH CE2和
WE
低。所有信号必须在有效状态,以
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了
上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。
4.与测试
OE
高。
AC波形
WE
写周期号1 (我们控制)
(1,2)
t
WC
地址
t
SCE1
t
HA
CE1
t
SCE2
CE2
t
AW
t
PWE
t
SA
t
HZWE
高-Z
WE
t
LZWE
D
OUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
D
IN
DATA-内有效
6
集成电路解决方案公司
SR011-0B