IS61C512-20N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IS61C512-20N
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内容描述：	64K ×8高速CMOS静态RAM [64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 425 K
品牌：	ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]

IS61C512

写周期NO 。 2 （ CE1 CE2控制）

(1,2)

CE1,

CE1

地址

SCE1

CE1

SCE2

CE2

PWE

HZWE

LZWE

高-Z

OUT

数据中，未定义

DATA-内有效

注意事项：

1.内部写入时间是由重叠定义

CE1

LOW ， HIGH CE2和

低。所有信号必须在有效状态，以

开始写的，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考了

上升或下降并因此终止了写入的信号的边沿。

2. I / O将承担高阻状态，如果

= HIGH 。

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