IDT71V124 ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位） ，革命引脚
商用和工业温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I / O
0
I / O
1
V
DD
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
32
2
31
3
30
4
29
28
5
6 SO32-3 27
26
7
25
8
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
DD
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.1
(2)
0至+70
-55到+125
-55到+125
单位
V
o
o
C
C
C
o
SOJ
顶视图
真值表
(1,2)
CS
L
L
L
H
V
HC
(3)
OE
L
X
H
X
X
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
–0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤
V
LC
.
电容
符号
C
IN
C
I / O
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
参数
(1)
输入电容
I / O容量
O
N N
I
A
吨CE
4S NS
R 5
12 IG
A E
νs的
P L
71 DE
O
ER W¯¯
S
D E
B
R N
3484 DRW 02
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.5V.
C
E
0.5
50
W
mA
3484 TBL 02
功能
读数据
写数据
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
温度
GND
0V
V
DD
见下文
见下文
3484 TB升02A
输出禁用
广告
产业
0 ° C至+ 70°C
高-Z
取消选择 - 待机（我
SB
)
-40 ° C至+ 85°C
0V
高-Z
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3484 TBL 01
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
参数
分钟。
3.0
0
典型值。
3.3
0
马克斯。
3.6
0
单位
V
V
V
V
3484 TBL 04
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
Ø ř
O
F
马克斯。
8
8
单位
pF
电源电压
地
GND
V
IH
V
IL
pF
输入高电压
输入低电压
2.0
–0.3
(1)
____
____
V
DD
+0.3
0.8
3484 TBL 03
注意：
1. V
IL
（分） = -1V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
DC电气特性
(V
DD
= 3.3V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
IDT71V124
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
=最大，V
IN
= GND到V
DD
V
DD
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -8mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
µA
µA
V
V
3484 TBL 05
2.4
6.42
2
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
