IDT71V124 ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位） ，革命引脚
商用和工业温度范围
AC电气特性
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
参数
(V
DD
= 3.3V ± 10 ％ ，商业和工业范围）
71V124S15
分钟。
马克斯。
71V124S20
分钟。
马克斯。
单位
15
____
____
20
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
15
____
20
20
____
____
____
3
0
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消掉电时间
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
O
N N
I
A
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0
0
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7
7
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0
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8
0
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5
0
7
4
____
4
0
____
0
____
____
____
15
____
20
15
____
____
20
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3484 TBL 08
12
15
15
0
12
0
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
12
0
15
0
9
0
4
0
写使能在高阻输出
注意：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
Ø ř
O
F
8
0
____
____
3
0
____
____
5
8
6.42
4
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
