欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IDT71V124S15Y 参数 Datasheet PDF下载

IDT71V124S15Y图片预览
型号: IDT71V124S15Y
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)引脚革命 [3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 67 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
 浏览型号IDT71V124S15Y的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IDT71V124S15Y的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT71V124S15Y的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT71V124S15Y的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT71V124S15Y的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71V124S15Y的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IDT71V124S15Y的Datasheet PDF文件第8页  
IDT71V124 , 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧( 128K ×8位) ,革命引脚
商用和工业温度范围
的写周期一号时序波形(我们控制时序)
(1,2,4)
t
WC
地址
t
AW
CS
t
WR
t
AS
WE
t
WP
(2)
数据
OUT
数据
IN
写周期2号( CS控制时间)的时序波形
(1,4)
t
WC
地址
CS
WE
O
N N
I
A
吨CE
4S NS
R 5
12 IG
A E
νs的
P L
71 DE
O
ER W¯¯
S
D E
B
R N
t
WHZ
(5)
t
OW
(3)
高阻抗
t
DW
t
DH
C
(5)
E
t
CHZ
(5)
(3)
数据
IN
有效
3484 DRW 07
t
AW
t
AS
t
CW
t
WR
(3)
数据
IN
Ø ř
O
F
t
DW
数据
IN
有效
t
DH
3484 DRW 08
注意事项:
1.低重叠期间,写操作
CS
和一个低
WE 。
2.
OE
连续高。在一
WE
控制的写周期
OE
低,T
WP
必须大于或等于t
WHZ
+ t
DW
以允许I / O驱动以关闭和数据是
放到总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个高
WE
控制的写周期,这一要求并不适用,最低写入脉冲是指定的T
WP
.
3.在此期间, I / O引脚处于输出状态,并且输入信号必须不被应用。
4.如果
CS
同时发生或之后的低的跳变
WE
低转换时,输出保持在高阻抗状态。
CS
必须在T为主动
CW
期。
5.转变是从稳态测量± 200mV的。
6.42
6