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ISL6207
数据表
2005年7月25日
FN9075.7
高电压同步整流降压
MOSFET驱动器
该ISL6207是高频，双MOSFET驱动器，
优化驱动两个N沟道功率MOSFET的
移动同步整流降压转换器拓扑结构
计算应用。该驱动程序，结合了Intersil公司
多相降压PWM控制器，如ISL6223 ， ISL6215 ，
和ISL6216 ，形成一个完整的单级核心电压
为先进的移动微处理器稳压器解决方案。
该ISL6207拥有4A典型的灌电流下门
驱动程序。在4A典型输出电流为能够保持
在PHASE节点上升沿到下MOSFET的栅极
防止因高dv / dt的直通功率损耗
PHASE节点的。工作电压相匹配的30V
MOSFET的击穿电压通常在移动中使用
电脑电源。
该ISL6207还具有三态PWM输入的，
与大多数的Intersil的PWM多相一起工作
控制器，可以防止在输出一个负脉冲
电压时，输出被关闭。此功能
消除了肖特基二极管，这通常出现在一个
用于保护所述微处理器电源系统
微处理器，从反相输出电压的损坏。
该ISL6207具有高效开关电源的容量
MOSFET的工作频率高达2MHz 。每个驱动器能够
驱动3000pF的负载用15ns的传播延迟和
超过10ns的过渡时间少。该产品实现
具有内部自举自举在上部栅
肖特基二极管，降低实施成本，复杂性
并且允许使用更高的性能的，具有成本效益
N沟道MOSFET 。自适应贯通保护
整合，以防止两个MOSFET的导通
同时。
特点
•驱动两个N沟道MOSFET
•自适应贯通保护
• 30V工作电压
•0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
•支持高开关频率
- 快速输出上升时间
- 短传播延迟
•三态PWM输入用于电源级停机
•内部自举肖特基二极管
• QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
•无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
•核心电压供应为英特尔和AMD
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移动
微处理器
•高频超薄型DC-DC转换器
•大电流低输出电压的DC- DC转换器
•高输入电压DC- DC转换器
相关文献
•技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
•技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计
表面贴装准则QFN封装“
订购信息
产品编号
ISL6207CB
ISL6207CBZ （注）
ISL6207CBZA （注）
ISL6207CR
ISL6207CRZ （注）
ISL6207CRZA （注）
ISL6207HBZ （注）
ISL6207HRZ （注）
温度。
范围（° C）
-10到85
-10到85
-10到85
-10到85
-10到85
-10到85
-10-100
-10-100
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC （无铅）
8引脚SOIC （无铅）
8引脚3x3 QFN封装
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
L8.3x3
引脚配置
ISL6207 （ SOIC - 8 ）
顶视图
UGATE 1
BOOT 2
PWM 3
GND 4
8相
7 EN
6 VCC
5 LGATE
BOOT 1
PWM 2
3
GND
4
LGATE
6 EN
6
5 VCC
ISL6207 （ QFN ）
顶视图
相
7
UGATE
8
8引脚3x3 QFN封装（无铅） L8.3x3
8引脚3x3 QFN封装（无铅） L8.3x3
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的3x3 QFN封装（无铅）
M8.15
L8.3x3
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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