ISL6207
电气规格
参数
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
产量
上驱动源电阻
R
UGATE
500毫安源电流
-10 ° C至85°C
上部驱动源电流（注5 ）
上驱动吸收电阻
I
UGATE
R
UGATE
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
-10 ° C至85°C
上部驱动吸收电流（注5 ）
降低驱动源电阻
I
UGATE
R
LGATE
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
-10 ° C至85°C
较低的驱动源电流（注5 ）
降低驱动吸收电阻
I
LGATE
R
LGATE
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
-10 ° C至85°C
较低的驱动器吸收电流（注5 ）
注意：
5.通过特性保证，而不是100 ％生产测试。
I
LGATE
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
1.0
2.0
1.0
1.0
2.0
1.0
1.0
2.0
0.4
0.4
4.0
2.5
2.2
-
2.5
2.2
-
2.5
2.2
-
1.0
0.8
-
Ω
Ω
A
Ω
Ω
A
Ω
Ω
A
Ω
Ω
A
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
t
PDHUGATE
t
PDHLGATE
测试条件
V
VCC
= 5V ，输出空载
V
VCC
= 5V ，输出空载
民
10
10
典型值
20
20
最大
30
30
单位
ns
ns
功能引脚说明
UGATE （引脚1 SOIC - 8引脚8 QFN封装）
该UGATE引脚上栅极驱动输出。连接
高侧功率N沟道MOSFET的栅极。
VCC （引脚6 SOIC - 8引脚5 QFN ）
VCC引脚连接到+ 5V偏置电源。将高
优质的旁路电容此引脚与GND 。
EN （引脚7 SOIC - 8引脚6 QFN ）
EN为使能输入引脚。该引脚连接到高电平，
启用和LOW禁用，该IC 。当禁止时，该IC
消耗小于1μA的偏置电流。
BOOT （引脚2 SOIC - 8引脚1 QFN ）
BOOT是浮动自举电源引脚上闸
驾驶。连接该引脚之间的自举电容
在PHASE引脚。自举电容提供充电
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
PHASE （引脚8 SOIC - 8 ， 7脚为QFN ）
连接PHASE引脚的上MOSFET的源极
和下侧MOSFET的漏极。该引脚提供一个
返回为上层栅极驱动器的路径。
PWM （引脚3的SOIC - 8引脚2 QFN ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细信息。该引脚连接到控制器的PWM输出。在
此外，放置一个500kΩ的电阻从这个引脚到地。这
在所有初创允许适当的三态运行
条件。
描述
手术
专为速度， ISL6207双MOSFET驱动器
从同时控制高侧和低侧N沟道场效应晶体管
1外部提供的PWM信号。
在PWM的上升沿启动关断下
MOSFET （见时序图） 。经过短暂的传播
延迟[T
pdlLGATE
] ，下门开始下降。典型的秋天
次[T
FLGATE
]是在电气规格提供
部分。自适应直通电路监测LGATE
电压，并确定在上闸门的延迟时间
[t
PDHUGATE
]的基础上， LGATE电压降如何迅速
低于1V 。这可以防止两个下部和上部的MOSFET
同时导通，或穿通。一旦这个
延迟周期结束时，上部栅极驱动器开始上升
[t
的Rugate
] ，以及较高MOSFET导通。
FN9075.7
2005年7月25日
GND （引脚4 SOIC - 8引脚3 QFN ）
GND为接地引脚。所有的信号都参考这个节点。
LGATE （引脚5 SOIC - 8引脚4 QFN ）
LGATE是更低的栅极驱动器输出。连接的栅
低侧功率N沟道MOSFET 。
4
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