ISL6207
PWM
t
PDHUGATE
t
pdlUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
1V
UGATE
LGATE
1V
t
FLGATE
t
pdlLGATE
t
PDHLGATE
t
RLGATE
图1.时序图
PWM的一个下降沿表示关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[T
pdlUGATE
]之前遇到的
上闸开始下降[T
富盖特
] 。再次，自适应拍摄开启
通过电路决定下门延迟时间
t
PDHLGATE
.
上MOSFET的栅极 - 源极电压
is
监视，并且下门被允许上升，之后
上MOSFET的栅极 - 源极电压
下面滴
1V.
该
下门，然后上升[T
RLGATE
] ，把在下部
MOSFET。
此驱动程序用于大型降压转换器优化
比，例如在一台移动计算机的核心电压用于
调节器。较低的MOSFET通常是规模大得多。
此驱动程序用于大型降压转换器优化
相比，因为较低的上部MOSFET
的MOSFET中的开关导通为更长的时间
期。因此，下部栅极驱动器的尺寸大得多的
为满足这种应用要求。导通电阻0.4Ω
和4A灌电流能力使低栅极驱动器
吸收通过注入到下部栅极电流
漏极至栅极下的MOSFET的电容器，并防止
通过拍摄所造成的高dv / dt的相位节点。
叶的PWM处于高阻抗（未确定）状态;
因此，一个500kΩ的电阻器必须是的地方，从的PWM引脚的
到GND 。
自适应贯通保护
两位车手结合自适应贯通保护
为防止高端和低端MOSFET的导通
同时，缩短了输入电源。这是
确保落闸已完成关闭1
之前的另一个MOSFET被允许打开。
关断过程中的下MOSFET的，所述LGATE电压是
监视，直到它到达一个1V的阈值，在该时间的
UGATE释放上升。自适应贯通线路
监控过程中的上MOSFET的栅极 - 源极电压
UGATE关断。一旦上部MOSFET的栅 - 源
电压低于1V的阈值时，是LGATE
允许上升。
内置自举二极管
该驱动器具有内置自举肖特基二极管。
简单地增加一个外部电容两端的BOOT和
PHASE引脚完成自举电路。
自举电容必须有一个最大的电压
等级高于最大电池电压加上5V 。该
自举电容器可以在以下各项中选择
公式：
Q
门
-
C
BOOT
≥
-----------------------
∆V
BOOT
三态PWM输入
的ISL6207和其他Intersil的驱动程序的一个独特功能是
增加了一个关闭窗口的PWM输入的。如果
PWM信号进入并保持在关闭窗口内
一组释抑时间，输出驱动器被禁用，
这两个MOSFET的栅极被拉低并保持低电平。关闭
状态时，PWM信号以外的移动被去除
关闭窗口。否则，将PWM的上升沿和下降沿
在电气特性概述门槛
确定当被启用的下部和上部栅极。
在启动期间，脉宽调制应该是在三态位置
(1/2 V
CC
） 。然而，不断上升的V
CC
中，活性跟踪
为PWM元件是不活跃状态，直至V
CC
> 1.2V ，这
其中Q
门
是必需的栅极电荷量，以充分
充上MOSFET的栅极。该
∆V
BOOT
期限
德网络定义为在上部驱动的轨道允许的下垂。
作为一个例子，假设一个上MOSFET的栅极
电荷Q
门
， 25NC在5V和还承担下垂
在一个PWM周期的驱动电压为200mV 。人们会发现
至少0.125μF的自举电容是必需的。
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FN9075.7
2005年7月25日
INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
