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IXSH45N120 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IXSH45N120
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内容描述: 高电压,低VCE ( sat)的IGBT [High Voltage, Low VCE(sat) IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 91 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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高电压,
低V
CE ( SAT )
IGBT
短路SOA能力
IXSH 45N120
V
CES
I
C25
V
CE ( SAT )
= 1200 V
= 75 A
= 3V
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
( RBSOA )
t
SC
( SCSOA )
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25 ° C,受导线
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C, 1毫秒
V
GE
= 15 V ,T
J
= 125 ° C,R
G
= 2.7
W
钳位感性负载, L = 30
mH
V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.6 • V
CES
, T
J
= 125°C
R
G
= 22
W,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
1200
1200
±20
±30
75
45
180
I
CM
= 90
@ 0.8 V
CES
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
ms
的TO- 247的AD
G
C
E
C =收藏家,
TAB =收藏家
G =门,
E =发射器,
特点
W
°C
°C
°C
q
q
q
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
q
6
300
g
°C
q
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
q
国际标准套餐
JEDEC TO- 247
高频IGBT有保证
短路SOA能力
切换速度快下降时间
高达20千赫
第二代HDMOS
TM
过程
低V
CE ( SAT )
- 最低的通态传导
损失
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1200
4
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
6
8
400
1.2
±100
3
V
V
应用
q
q
q
BV
CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
= 3毫安, V
GE
= 0 V
= 4毫安, V
CE
= V
GE
q
q
V
CE
= 0.8 • V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
mA
mA
nA
V
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
不间断电源( UPS )
开关模式和谐振模
电源
焊接
优势
q
q
易与1个螺丝安装
(隔绝安装螺纹孔)
高功率密度
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
92773F (7/00)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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