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    IXSH45N120 参数 Datasheet PDF下载

    IXSH45N120图片预览
    型号： IXSH45N120
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压，低VCE （ sat）的IGBT [High Voltage, Low VCE(sat) IGBT]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 91 K
    品牌： IXYS [ IXYS CORPORATION ]
     浏览型号IXSH45N120的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXSH45N120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXSH45N120的Datasheet PDF文件第4页  
    IXSH 45N120
    图1饱和特性
    Fig.2
    输出CHARACTERSTICS
    70
    60
    T
    J
    = 25°C
    V
    GE
    = 15V
    13V
    11V
    300
    T
    J
    = 25°C
    250
    V
    GE
    = 15V
    I
    C
    - 安培
    40
    30
    20
    10
    7V
    I
    C
    - 安培
    50
    200
    150
    100
    11V
    13V
    9V
    50
    9V
    0
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    2
    4
    6
    8
    10 12 14 16 18 20
    V
    CE
    - 伏特
    V
    CE
    - 伏特
    图3集电极 - 发射极电压
    与栅极 - 发射极电压
    10
    9
    8
    7
    T
    J
    = 25°C
    图4温度依赖性
    输出饱和电压
    1.8
    V
    GE
    = 15V
    I
    C
    = 90A
    1.6
    V
    CE （ SAT ）
    - 归
    V
    CE
    - 伏特
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    -50
    I
    C
    = 45A
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    I
    C
    = 22.5A
    I
    C
    = 90A
    I
    C
    = 45A
    I
    C
    = 22.5A
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    V
    GE
    - 伏特
    T
    J
    - 摄氏度
    图。 5输入导纳
    90
    80
    70
    图6温度依赖性
    分解和阈值电压
    1.3
    V
    CE
    = 10V
    BV / V
    （ TH ）
    - 归
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    -50
    V
    GE （日）
    I
    C
    = 4毫安
    I
    C
    - 安培
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    T
    J
    = - 40°C
    BV
    CES
    I
    C
    = 3毫安
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10 11 12 13 14 15
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    V
    GE
    - 伏特
    T
    J
    - 摄氏度
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