IXSH45N120 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IXSH45N120
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内容描述：	高电压，低VCE （ sat）的IGBT [High Voltage, Low VCE(sat) IGBT]
分类和应用：	双极性晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 91 K
品牌：	IXYS [ IXYS CORPORATION ]

IXSH 45N120

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

170

4150

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

285

150

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

感性负载，T

= 25°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 100

= 0.8 V

CES

, R

= 2.7

备注：开关时间可能

增加V

（钳） > 0.8 •V

CES

更高的温度

或加强研究

感性负载，T

= 125°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 100

= 0.8 V

CES

, R

= 2.7

备注：开关时间可能

增加V

（钳） > 0.8 •V

CES

更高的温度

或加强研究

250

400

1000

250

7.1

450

1200

200

100

0.42 K / W

0.25

K / W

暗淡。毫米

分钟。马克斯。

19.81 20.32

20.80 21.46

15.75 16.26

3.55 3.65

4.32 5.49

5.4

6.2

1.65 2.13

4.5

1.0

1.4

10.8 11.0

4.7

0.4

5.3

0.8

英寸

分钟。马克斯。

0.780 0.800

0.819 0.845

0.610 0.640

0.140 0.144

0.170 0.216

0.212 0.244

0.065 0.084

0.177

0.040 0.055

0.426 0.433

0.185 0.209

0.016 0.031

0.087 0.102

AD TO- 247 （ IXSH ）大纲

C（ ON）

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

= I

C90

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

300

女士，

占空比ð

2 %

= 15 V, V

= 10 V

1.5 2.49

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,881,106

5,017,508

5,049,961

5,187,117

5,486,715

4,850,072

4,931,844

5,034,796

5,063,307

5,237,481

5,381,025

2-4

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