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IXSH45N120 参数 Datasheet PDF下载

IXSH45N120图片预览
型号: IXSH45N120
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内容描述: 高电压,低VCE ( sat)的IGBT [High Voltage, Low VCE(sat) IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 91 K
品牌: IXYS [ IXYS CORPORATION ]
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IXSH 45N120
图7关断能源每脉冲和
下降时间在集电极电流
3000
2750
60
50
2600
T
J
= 125°C
I
C
= 45A
E
关闭
的开启,关闭能源依赖图8
每脉冲和下降时间R上
G
40
R
G
= 10
W
T
J
= 125°C
t
fi
- 纳秒
t
fi
- 纳秒
2400
E
关闭
- 毫焦耳
2500
2250
2000
1750
1500
t
fi
40
30
20
10
0
100
2200
E
关闭
30
2000
25
1800
0
20
40
60
80
0
10
20
30
40
20
50
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
Fig.9
15
12
栅极电荷特性曲线
100
图10关断安全工作区
I
C
= 45A
V
CE
= 500V
10
I
C
- 安培
R
G
= 2.7
W
T
J
= 125°C
的dV / dt < 6V / NS
V
GE
- 伏特
9
6
3
0
0
50
100
150
200
1
0.1
0.01
0
200
400
600
800
1000
1200
Q
g
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
D=0.5
Z
thJC
(K / W)
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D =占空比
0.01
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
版权所有©2000 IXYS所有权利。
E
关闭
- 毫焦耳
t
fi
35
4-4