4Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
引脚说明
44引脚SOP 40脚TSOP 48针TSOP
号码数字数字符号
43
9
11
WE＃
TYPE
输入
描述
写使能：确定一个给定的周期是写
周期。如果WE＃为低，周期可以是在写
命令执行逻辑（ CEL）或以对存储器阵列。
写保护：解锁引导块，如果V HIGH的时候
PP
= V
PPH
1
（ 3.3V ）或V
PPH
2
（ 5V ）和RP ＃ = V
IH
期间
写或擦除。不影响写入或擦除
操作上的其它块。
芯片启动：启动设备时低。当
CE ＃为高电平时，该设备被禁用，并且进入
备用电源模式。
复位/掉电：当LOW ， RP ＃清除状态
寄存器，设置内部状态机（ ISM）的
阵列的读取模式，并将该设备在加电深
关断模式。所有的输入，包括CE ＃ ，是“不要
将心比心， “和所有输出高阻。 RP ＃解锁开机
块覆盖的WP ＃条件在V时
HH
（12V ），并且必须在V举行
IH
在所有其他模式
的操作。
输出使能：允许数据输出缓冲器时，
低。当OE＃为高电平时，输出缓冲器是
禁用。
字节使能：如果BYTE ＃ =高，高字节被激活
通过DQ8 - DQ15 。如果BYTE ＃ =低， DQ8 - DQ14是
高Z ，并且所有的数据通过DQ0 - DQ7的访问。
DQ15 / （A-1 ）变为至少显著地址输入。
地址输入：选择一个唯一的16位字或8位
字节。在DQ15 / （ A- 1 ）输入变为最低阶
地址时，字节＃ =低（ MT28F400B3 ） ，以允许
选择从524,288可用一个8位字节的。
2
12
14
WP ＃
输入
12
22
26
CE＃
输入
44
10
12
RP ＃
输入
14
24
28
OE ＃
输入
33
–
47
BYTE ＃
输入
11, 10, 9, 8, 21, 20, 19,
7, 6, 5, 4, 18, 17, 16,
42, 41, 40, 15, 14, 8, 7,
39, 38, 37, 36, 6, 5, 4, 3,
36, 35, 34, 3 2, 1, 40, 13
31
–
15, 17, 19,
21, 24, 26,
28, 30
16, 18, 20,
22, 25, 27,
29
1
23
13, 32
–
输入/数据I / O：数据的MSB时， BYTE ＃ = HIGH 。地址
输出输入： LSB地址输入时， BYTE ＃ =在低
读或写操作。
25-28 ， 32-35 29 ， 31 ， 33 ， DQ0 - DQ7
输入/数据的I / O ：任何读取操作过程中的数据输出引脚
35, 38, 40,
写操作期间输出或数据输入引脚。这些引脚用来
42, 44
到inputcommands到CEL 。
–
30 ， 32 ， 34 ， DQ8 - DQ14
输入/数据的I / O ：任何读取操作过程中的数据输出引脚
36, 39, 41,
一个写时，字节＃ = HIGH时输出或数据输入引脚。
43
这些引脚是高阻抗，当BYTE ＃为低。
11
13
V
PP
供应写/擦除电源电压：从写入或擦除
CONFIRM直到写或擦除，V完成
PP
必须是在V
PPH
1
（ 3.3V ）或V
PPH
2
(5V). V
PP
= “不在乎”
在所有其它操作。
30, 31
37
V
CC
供电电源： + 3.3V ± 0.3V 。
23, 39
27, 46
V
SS
供应地。
29, 37, 38 9, 10, 15, 16
NC
–
无连接：这些引脚可被驱动或左
悬空。
25, 24, 23,
22, 21, 20,
19, 18, 8, 7,
6, 5, 4, 3, 2,
1, 48, 17
45
A0–A17/
(A18)
输入
DQ15/
(A-1)
4MB 3智能引导块闪存
F45_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 12/01
4
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