8Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
文士两种类型的输入。更多信息describ-
题如何使用这两种类型的输入，以便写入或擦除
该装置中的命令的执行提供仲
化。
COMMANDS
要执行的命令输入， OE ＃要高，
和CE ＃和WE ＃必须为低电平。地址是“不要
关心“，但必须保持稳定，除在擦除过程中
CONFIRM （在后面的章节中描述） 。 8位的COM
命令输入的DQ0 - DQ7 ，而DQ8 - DQ15是“不要
关心“的MT28F800B3 。该命令锁存
的CE＃上升沿（ CE ＃ -controlled ）或WE ＃ （ WE＃ -
控制） ，以先到为准。的条件
BYTE ＃上MT28F800B3对一个COM无影响
命令的输入。
存储阵列
在写入存储器阵列设置所需的位
逻辑0 ，但可以在给定位置为逻辑1 ，从一个未改变
逻辑0 ，设置任何位为逻辑1 ，需要整个
块被擦除。执行写入， OE ＃要高，
CE ＃和WE ＃要低，和V
PP
必须被设定为V
PPH
1
或V
PPH
2
。写入引导块还要求
RP ＃引脚处于V
HH
或WP ＃高。 A0 - A18 （ A19 ）亲
韦迪要被写入的地址，而数据是
写入到阵列被输入到DQ管脚。数据
和地址锁存CE ＃上升沿
（ CE ＃ -controlled ）或WE ＃ （ WE＃ -controlled ）为准
先发生。一个写操作必须在前面加一个写
SETUP命令。上详细描述了如何将数据输入到所述
阵列中的写序列部分中描述。
可选的总线宽度适用于写操作，因为它没有
读取了MT28F800B3 。当字节＃是低电平（字节
模式） ，数据输入对DQ0 - DQ7 ， DQ8 - DQ14是高
Z和DQ15成为最低阶地址输入。
当BYTE ＃为高电平（字模式） ，数据输入对DQ0-
DQ15.
命令集
为了简化写入存储器块，所述
MT28F800B3和MT28F008B3结合的ISM了
控制所有的内部算法进行写入和擦除
浮动栅极存储器单元。 8位命令集是
用于控制该设备。如何序列的详细信息
在命令执行提供命令
部分。表1列出了有效的命令。
表1
命令集
命令
版权所有
十六进制代码说明
00h
这个命令，所有未上市的命令是无效的，不应该
被调用。这些命令被保留以便未来的特征
增强功能。
任何其他指令周期后必须发出之前的阵列可以是
读取。这是没有必要发出后，上电或复位命令。
允许设备制造商和兼容性的ID被读取。 A0为
使用制造商的兼容性ID之间进行解码（ A0 = LOW ）
和设备ID （ A0 =高） 。
允许状态寄存器进行读取。请参阅表2更
在状态寄存器位的信息。
清除状态寄存器中的位3-5中，不能用在ISM清零。
第一命令在两个周期的擦除序列给出。擦除操作
未完成，除非后面ERASE CONFIRM 。
所述第二命令中的双循环擦除序列给出。必须遵循
一个ERASE SETUP命令是有效的。在擦除过程中也使用
休眠到恢复ERASE 。
第一个命令，在双循环写入顺序给出。写
数据和地址列于下面的循环来完成写入。
请擦除停止，并把设备进入擦除挂起
模式。当该装置是在该模式中，仅读状态寄存器，
读阵列和擦除恢复命令可以执行。
读阵列
识别设备
FFH
90h
读状态寄存器
清除状态寄存器
删除设置
ERASE确认/ RESUME
70h
50h
20h
D0h
写设置
擦除挂起
40H或
10h
B0h
8MB 3智能引导块闪存
Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01
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