8Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
ISM状态寄存器
8位的ISM状态寄存器（见表2）进行轮询
检查写入或擦除完成或任何相关
错误。期间或之后一写，擦除或擦除
暂停一个读操作输出状态寄存器
在DQ0 - DQ7内容，恕不另行命令。而
状态寄存器的内容被读出，输出是不
如果在除非在ISM状态的变化而被更新
OE ＃或CE ＃被触发。如果该设备不是在写，
擦除，擦除暂停或状态寄存器读取模式，读取
状态寄存器（ 70H ）可以发出来查看状态
寄存器的内容。
所有定义的比特由在ISM设置，但是只有
在ISM和擦除挂起状态位被重置
ISM 。擦除，写入和V
PP
状态位必须清零
使用清除状态寄存器。如果在V
PP
状态位
（ SR3 ）被置位，对CEL不允许进一步WRITE或
擦除操作，直到状态寄存器清零。
这使得用户能够选择何时轮询和清晰
状态寄存器。例如，主机系统可
入住之前执行多个字节写操作
荷兰国际集团状态寄存器，而不是在每次检查
个人写。断言RP ＃信号或加电
荷兰国际集团关闭该设备还会清除状态寄存器。
表2
状态寄存器位定义
ISMS
7
ESS
6
ES
5
WS
4
V
PP
S
3
R
2–0
状态
位＃
SR7
状态寄存器位
ISM状态（ ISMS ）
1 =就绪
0 =忙
擦除挂起状态（ ESS ）
1 =擦除暂停
0 =擦除/已完成
擦除状态（ ES ）
1 =块擦除错误
0 =成功的块擦除
写状态（ WS ）
1 =字/字节写入错误
0 =成功字/字节写
V
PP
STATUS （V
PP
S)
1 =无V
PP
电压检测
0 = V
PP
现
版权所有
描述
在ISMS位显示状态机的工作状态
写或块擦除操作。该控制逻辑这一民调
位，以确定当进行擦除和写入状态位是有效的。
发出擦除挂起的地方在暂停模式的ISM
并将此和ISMS的位为“1” ESS的位保持为“1”的
直到删除恢复发放。
ES中进行后擦除周期的最大数目设置为“ 1”的
通过ISM没有成功验证执行。 ES才会被清除
通过清除状态寄存器命令或复位后。
WS是后写周期的最大数目设置为“ 1”的
通过ISM没有成功验证执行。 WS才会被清除
通过清除状态寄存器命令或复位后。
V
PP
S检测为V的存在
PP
电压。它不监视V
PP
连续地，也没有指示有效V
PP
电压。在V
PP
针
写后取样的3.3V或5V或ERASE确认的是给定的。
V
PP
S必须清除状态寄存器或复位清零。
留作将来使用。
SR6
SR5
SR4
SR3
SR0-2
8MB 3智能引导块闪存
Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01
11
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