8Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
该MT28F800B3和MT28F008B3都可用
两种配置和顶部或底部引导块。顶部
引导块版本支持的86多种处理器。
底部引导块版本适用于680X0和
RISC应用程序。图1示出的存储器AD-
穿衣搭配这两个版本的相关地图。
参数块
这两个8KB参数块存储不那么敏感，
更频繁地改变系统参数，并且还
可以存储配置或诊断编码。这些
启用了擦除时， V形块
PP
引脚为V
PPH
.
无需超电压解锁或WP ＃控制。
主内存模块
八个剩余块是通用
内存块，并且不需要对一个超电压
RP ＃或WP ＃控制被擦除或写入。这些块
旨在用于代码存储， ROM驻留的应用
需要系统蒸发散或操作系统中的系统更新
能力。
状态寄存器
执行状态寄存器的读操作需要
相同的输入序列作为数组的一个READ
除了地址输入“不在乎。 ”在
状态寄存器的内容是关于DQ0-总产出
的DQ7 ，无论BYTE ＃的条件
MT28F800B3 。 DQ8 - DQ15都为低电平时， BYTE ＃为
高， DQ8 - DQ14是高阻时， BYTE ＃为低。
从状态寄存器的数据被锁存的下落
的OE ＃或CE ＃边缘，以先到为准最后。如果CON组
状态寄存器变化的过程中的一个READ帐篷
状态寄存器，无论是OE ＃或CE ＃可以进行切换，而
另一个则保持低电平来更新输出。
经过写或擦除，设备automati-
美云进入状态寄存器读模式。此外，一个
一个写在读或擦除生产状态
登记在DQ0 - DQ7内容。当该装置处于
擦除挂起模式，读操作产生的
状态寄存器的内容，直到另一个命令是 -
起诉。在某些其他模式，读状态寄存器
可给予返回到状态寄存器读出模式。
所有的命令及其操作的描述
命令集和命令执行的部分。
识别寄存器
两个8位的设备识别寄存器A读
需要相同的输入序列作为一个READ
数组。 WE＃要高，和OE ＃和CE ＃必须
低。然而， ID寄存器的数据被输出仅在DQ0-
的DQ7 ，无论BYTE ＃的条件
MT28F800B3 。 A0是用两个字节之间进行解码
的设备ID寄存器;所有其他地址输入
“不在乎。 ”当A0为低，生产厂家的COM
兼容性ID是输出，而当A 0为高电平时，该装置
号被输出。 DQ8 - DQ15是高阻时， BYTE ＃为低。
当BYTE ＃为高电平， DQ8 - DQ15是00H时
制造商兼容性ID被读取并且88H时
装置ID被读出。
去识别寄存器读取模式，读取
鉴定可发出，而该设备在
某些其他模式。此外，该识别寄存器
器读出模式可以通过应用超电压达到
年龄（V
ID
）的A9引脚。使用这种方法时，ID寄存器
可以读取，而该设备在任何模式。当A9是
返回到V
IL
或V
IH
，设备返回到前一个
模式。
输出（读取）操作
该MT28F800B3和MT28F008B3功能3昼夜温差
同的类型的读操作。根据当前的模式
该装置中，一个读操作产生的数据从
存储器阵列，状态寄存器或设备标识
注册。在每个这些三种情况下，在WE ＃ ， CE＃和
OE＃输入被控制以类似的方式。移动
模式，以执行特定的读之间描述
在该命令执行部。
存储阵列
要读取的存储器阵列， WE＃要高，而
OE ＃和CE ＃必须为低电平。有效数据是在输出
当这些条件都得到了满足DQ管脚，和一个
有效地址被给出。有效的数据保留在DQ引脚
直到地址变更，或直到OE ＃或CE ＃变高时，
以先到为准。 DQ管脚继续输出
各地址变换后的新的数据，只要OE＃和
CE＃保持低电平。
该MT28F800B3具有可选的总线宽度。
当存储阵列访问为512K ×16 ， BYTE ＃
为高电平，而数据是关于DQ0 - DQ15输出。要访问
存储器阵列为1兆×8 ，字节＃必须为低， DQ8-
DQ14必须是高阻抗，并且所有的数据必须在输出
DQ0 - DQ7 。在DQ15 / （A - 1 ）引脚变为最低
为了地址输入，这样1,048,576位置可以
读取。
上电后或复位后，设备会自动为
阵列中的读取模式。所有的命令及其操作
系统蒸发散覆盖在命令集和命令
执行部分。
投入运营
DQ管脚被使用，也可以将数据输入到所述阵列
或者输入一个命令，以对CEL 。命令输入
发出一个8位命令用来对CEL控制模式
的装置的操作。一个写的是用于输入
数据到存储器阵列。下面部分将
8MB 3智能引导块闪存
Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01
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