8Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
当BYTE ＃为低，或FFFFh时必须写入时
字节＃是高电平。当ISM状态位（ SR7 ）已
集，该装置是在状态寄存器中读出的模式中，直到
另一个命令发出。
擦除过程
执行擦除操作设置中的所有位
阻止为逻辑1所必需的命令序列
执行ERASE类似于一撇。要亲
韦迪增加安全性，防止意外块擦除，
两个连续的指令周期来发起
一个块的擦除。在第一周期中，地址是
“不关心”，并清除设置（ 20H）给出。在
第二周期，V
PP
必须提请V
PPH
中，地址
该块被擦除，必须出具，并删除之内
CONFIRM （ D0H ）应予重视。如果不是一个命令等
ERASE确认的是给予，写和擦除状态位
（ SR4和SR5 ）被设置，并且该装置是在状态
寄存器读模式。
经过ERASE CONFIRM （ D0H ）发出后， ISM
启动寻址的块擦除操作。任何读
操作输出上DQ0-状态寄存器的内容
DQ7 。 V
PP
必须在V举行
PPH
直到擦除的COM
pleted （ SR7 = 1）。当擦除完成后，
设备是在状态寄存器中读出的模式，直到其他
命令被发出。删除引导块也需要
，无论是RP ＃引脚设置为V
HH
或WP ＃引脚
高举与此同时V
PP
被设定为V
PPH
.
ERASE暂停
可同时发出一个唯一的命令
ERASE正在进行中的擦除挂起。这个化合物
命令允许同时执行其它命令
暂停进行中的ERASE 。当该装置具有
达到擦除挂起模式，擦除暂停
状态位（ SR6 ）和ISM状态位（ SR7 ）设置。该
设备现在可以给出一个READ阵列，ERASE RE-
庙或读状态寄存器命令。后
读阵列已经发出，而不是在任何位置
被擦除的块可以被读取。如果删除恢复
SR 6之前发出已经被设置，则设备被立即
ately继续进行正在进行擦除操作。
错误处理
后在ISM状态位（ SR7 ）已被设置，在V
PP
（ SR3 ） ，写（ SR4 ）和删除（ SR5 ）状态位可能
检查。如果这3个位的一个或组合有
被设定时，发生了错误。在ISM不能复位
这三个位。要清除这些位，清除状态的REGISTRATION
寄存器（ 50H ），应予重视。如果在V
PP
状态位（ SR3 ）被置位，
进一步的写或擦除操作不能恢复，直到
状态寄存器清零。表4列出了组合
化的错误。
表4
状态寄存器错误代码说明
1
状态位
SR5
SR4
SR3
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
错误说明
没有错误
V
PP
电压误差
写错误
写错误，V
PP
电压不是在写时有效
擦除错误
擦除错误，V
PP
电压不ERASE确认时有效
命令顺序错误或写/擦除错误
命令顺序错误，V
PP
电压误差，以写入和擦除错误
注意：
1. SR3 - SR5必须使用清除状态寄存器清零。
8MB 3智能引导块闪存
Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01
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