1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
读
图53 ：银行读 - 带自动预充电
T0
T1
TCK
T2
总胆固醇
TCL
T3
T4
T5
T6
T7
T7n
T8
T8n
CK ＃
CK
CKE
Command1
NOP1
法案
NOP1
READ2,3
NOP1
NOP1
NOP1
NOP1
NOP1
法案
地址
RA
COL
n
4
RA
A10
RA
RA
银行地址
银行
x
银行
x
AL = 1
tRCD的
tRAS的
TRC
tRTP
激进党
CL = 3
银行
x
DM
情况1： TAC （MIN）和tDQSCK （MIN）
DQS ， DQS ＃
DQ6
tDQSCK （最小值）
5
TLZ （MIN）
DO
n
TLZ （MIN）
TAC （分钟）
tDQSCK （MAX）中
tRPRE
tRPST
5
太赫兹（ MIN ）
情况2： TAC （MAX）和tDQSCK （MAX）中
DQS ， DQS ＃
TLZ （MAX）中
DQ6
4-bit
预取
5
tRPRE
tRPST
5
DO
n
t
内部的LZ （MAX）
预充电
TAC （最大）
太赫兹（MAX）中
数据转换
不在乎
注意事项：
1. NOP命令示为便于说明;其它命令可以是在有效
这些时间。
2. BL = 4 ，RL = 4（ AL = 1， CL = 3 ）的情况下所示。
3. DDR2 SDRAM内部延迟自动预充电，直到两个
t
RAS （ MIN ）和
t
RTP（ MIN）的
已经得到满足。
4.启用自动预充电。
5. I / O的球，进入或退出高阻时，没有被引用到一个特定的电压电平，
但是，当设备开始驱动或不再驱动器上。
6.不要
n
=数据从列
n;
随后的元件都被加在已编程的
顺序。
PDF ： 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf - 牧师牛逼02/10 EN
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