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MT4C4M4E8DJ 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT4C4M4E8DJ
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内容描述: 梅格4 ×4 EDO DRAM [4 MEG x 4 EDO DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 291 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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科技公司
4 MEG ×4
EDO DRAM
笔记
1.所有电压参考V
SS
.
2.最小规格仅用于指示
循环时间在该正确的操作,在整个
温度范围( 0°C
T
A
70 ℃)得到保证。
3.为100μs的初始暂停后电是必需的,
其次是8 RAS #刷新周期( RAS # - 只
或CBR与WE #高) ,前正确的设备
操作被保证。八RAS #循环唤醒,
应重复任何时间
t
REF刷新
要求超出。
4. NC引脚被假定为悬空,并且不
测试泄漏。
5. I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值与最小周期得到
时间和输出打开。
6.地址栏每个周期更换一次。
7.可实现片刷新和地址计数器。
8.该参数进行采样。 V
CC
= V
CC
; F = 1兆赫。
9. AC特点假设
t
T =为2.5ns 。
10. V
IH
(MIN)和V
IL
(MAX),是参考电平为
测量输入信号的定时。转换时间
V的测量
IH
和V
IL
(或V之间
IL
和V
IH
).
11.除了满足升学率规范
化,所有的输入信号必须V之间的过境
IH
V
IL
(或V之间
IL
和V
IH
)中的单调方式。
12.衡量一个负载相当于两个TTL门
和100pF的;和V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2V.
t
WCS ,
t
RWD ,
t
AWD和
t
CWD的,并不限制
13.
操作参数。
t
WCS适用于早期
写周期。
t
RWD ,
t
AWD和
t
CWD申请
读 - 修改 - 写周期。如果
t
WCS
t
WCS
(MIN),该循环是一个早期写入周期和
数据输出将在整个保持开路
整个循环。如果
t
WCS <
t
WCS ( MIN )和
t
RWD
t
后轮驱动( MIN)
t
AWD
t
AWD ( MIN )和
t
CWD
t
CWD ( MIN ) ,该周期是一个读 - 修改 - 写
和输出的数据将包含从读出的数据
选定的单元格。如果上述两个条件都不满足,
数据输出的状态是不确定的。 OE #保持高电平
和WE之后, CAS # #采取低进低结果
后写入( OE # -controlled )周期。
t
WCS ,
t
RWD ,
t
CWD和
t
AWD并不适用于晚期
写周期。
14.要求
t
AA和
t
RAC不受侵犯。
15.如CAS#为低电平以使RAS#的下降沿,则Q将为
来自前一个周期保持。要启动一个新的
周期和清除数据出缓冲器, CAS#必须
脉冲高的
t
CP 。
16.这些参数是参照CAS #领先
边缘初期写入周期和WE#前缘
在后写入或读 - 修改 - 写周期。
17.如果OE #是永久接为低电平,后写入或
读 - 修改 - 写操作不permis-
sible并且不应该尝试。此外, WE#
为了在CAS# HIGH的时候一定要以脉冲
把I / O的高阻抗缓冲器。
18后写和读 - 修改 - 写周期
必须同时
t
OD和
t
OEH满足( OE #高
写周期),以确保在
输出缓冲器将在写入周期开放。
DQS的提供,如果先前读取数据
CAS#仍然很低, OE #是采取低背
t
OEH满足。如果CAS #变高之前, OE #
回到低电平, DQS的将继续开放。
19.要求
t
AA和
t
CAC不受侵犯。
20.
t
关( MAX )定义的时间,这时,输出
实现了开路状态和不
参考V
OH
或V
OL
。它是从参考
的RAS #或CAS #上升沿,去年为准。
21。
t
不再指定的RAD ( MAX)的限制。
t
拉德
(MAX),被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RAD大于指定的
t
RAD (MAX)中
限制,那么访问时间是由专门的控制
t
AA (
t
RAC和
t
CAC不再适用) 。或
没有
t
RAD ( MAX )的限制,
t
AA,
t
RAC和
t
CAC
必须始终得到满足。
22。
t
不再指定的RCD ( MAX)的限制。
t
RCD
(MAX),被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD大于指定的
t
RCD (MAX)中
限制,那么访问时间是由专门的控制
t
CAC (
t
RAC [ MIN ]不再适用) 。或
没有
t
RCD的限制,
t
AA和
t
CAC必须始终
得到满足。
23.无论是
t
RCH或
t
RRH必须满足一个读
周期。
24.隐藏刷新,也可以之后进行
写周期。在这种情况下, WE#是LOW和
OE #为高电平。
25.
刷新周期是从32毫秒( 2K刷新)扩展
或64毫秒( 4K刷新)为128毫秒( 2K和4K
刷新) 。对于4K刷新,
t
RC = 31.25μs ( 128毫秒/
4096行= 31.25μs )和2K刷新
t
RC = 62.5μs
( 128毫秒/ 2048行= 62.5μs ) 。
梅格4 ×4 EDO DRAM
D47.pm5 - 修订版3/97
10
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©1997,
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