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MT4C4M4E8DJ 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT4C4M4E8DJ
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内容描述: 梅格4 ×4 EDO DRAM [4 MEG x 4 EDO DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 291 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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科技公司
4 MEG ×4
EDO DRAM
电容
参数
输入电容:地址引脚
输入电容: RAS # , CAS # , WE# , OE #
输入/输出电容: DQ
符号
C
I
1
C
I
2
C
IO
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
笔记
8
8
8
AC电气特性
(注:2 ,3, 9,10, 11,12, 17), (Ⅴ
CC
[分钟]
V
CC
V
CC
[MAX] )
AC特性
参数
从列地址访问时间
列地址设置到CAS #预充电
列地址保持时间(参考RAS # )
列地址设置时间
行地址建立时间
列地址WE#延迟时间
从CAS #访问时间
列地址保持时间
CAS #脉冲宽度
CAS #低到时自刷新“无关”
CAS #保持时间( CBR刷新)
CAS在低Z #输出
接下来CAS #低后数据输出保持
CAS #预充电时间
从CAS#预充电时间访问
CAS #到# RAS预充电时间
CAS #保持时间
CAS #建立时间( CBR刷新)
CAS #为WE#延迟时间
写命令CAS #交货时间
数据保持时间
数据的建立时间
输出禁用
OUTPUT ENABLE
从WE#在OE #保持时间
读 - 修改 - 写周期
从CAS #高OE #高保持
OE #高脉冲宽度
OE #低到CAS #高的建立时间
输出缓冲关断延迟
-5
符号
t
AA
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHD
t
CHR
t
CLZ
t
COH
t
CP
t
注册会计师
t
CRP
t
CSH
t
企业社会责任
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
OEHC
t
OEP
t
OES
t
关闭
-6
最大
25
15
45
0
0
49
13
15
10
10
15
10
0
3
10
5
45
5
35
10
10
0
0
10
10
5
5
0
10,000
最大
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
12
38
0
0
42
8
8
15
8
0
3
8
5
38
5
28
8
8
0
0
8
5
5
4
0
13
14
10,000
7
15
28
35
13
16
16
17
18
18
12
12
15
15
12
15
20
梅格4 ×4 EDO DRAM
D47.pm5 - 修订版3/97
8
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©1997,
美光科技公司