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MT4C4M4E8DJ 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT4C4M4E8DJ
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内容描述: 梅格4 ×4 EDO DRAM [4 MEG x 4 EDO DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 291 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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科技公司
4 MEG ×4
EDO DRAM
AC电气特性
(注:2 ,3, 9,10, 11,12, 17), (Ⅴ
CC
[分钟]
V
CC
V
CC
[MAX] )
AC特性
参数
OE #安装程序之前, RAS #中
HIDDEN刷新周期
EDO -页面模式读取或写入周期时间
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
从RAS #访问时间
RAS #到列地址的延迟时间
行地址保持时间
RAS #脉冲宽度
RAS #脉冲宽度( EDO页模式)
在自刷新RAS #脉冲宽度
随机读或写周期时间
RAS #到CAS #延迟时间
READ命令保持时间(参考CAS # )
READ命令设置时间
刷新周期(2048次)
刷新周期( 4096次)
刷新周期S版
RAS #预充电时间
RAS #到CAS #预充电时间
RAS #预充电时间退出自刷新
READ命令保持时间(参考RAS # )
RAS #保持时间
读写周期时间
RAS #到WE#延迟时间
写命令RAS #交货时间
转换时间(上升或下降)
写命令保持时间
写命令保持时间(参考RAS # )
WE#命令设置时间
我们从输出禁用延迟#
WRITE命令的脉冲宽度
WE#脉冲禁止在CAS #高
WE#保持时间( CBR刷新)
WE#建立时间( CBR刷新)
-5
符号
t
ORD
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
拉德
t
RAH
t
RAS
t
RASP
t
RASS
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
REF
t
REF
t
REF
t
RP
t
RPC
t
RPS
t
RRH
t
RSH
t
RWC
t
RWD
t
RWL
t
T
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WHZ
t
WP
t
WPZ
t
WRH
t
WRP
-6
最大
0
25
56
50
60
12
10
60
60
100
104
14
0
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
0
20
47
9
9
50
50
100
84
11
0
0
19
21
10,000
125,000
10,000
125,000
22
23
32
64
128
30
5
90
0
13
116
67
13
2
8
38
0
0
5
10
8
8
40
5
105
0
15
140
79
15
2
10
45
0
0
5
10
10
10
32
64
128
23
13
50
50
13
12
15
梅格4 ×4 EDO DRAM
D47.pm5 - 修订版3/97
9
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