科技公司
4 MEG ×4
EDO DRAM
国际刑事法院工作条件和最高限额
（注：1 ，2，3 ）
3.3V
参数/条件
（ RAS ＃ = CAS ＃ = V
IH
)
待机电流： CMOS （非S版本）
（ RAS ＃ = CAS ＃ =其他输入= V
CC
-0.2V)
待机电流： CMOS （S版本）
（ RAS ＃ = CAS ＃ =其他输入= V
CC
-0.2V)
工作电流：随机读/写
平均供电电流
（ RAS ＃ ， CAS ＃ ，地址，骑自行车：
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
工作电流： EDO页模式
平均供电电流（ RAS ＃ = V
IL
,
CAS号，地址，骑自行车：
t
PC =
t
PC [ MIN ] ）
刷新电流： RAS ＃ - 只
平均供电电流
（ RAS ＃循环， CAS＃ = V
IH
:
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
刷新电流： CBR
平均供电电流
（ RAS ＃ ， CAS ＃ ，地址，骑自行车：
t
RC =
t
RC [ MIN ] ）
刷新电流：扩展（S版本）
平均供电电流： CAS ＃ = 0.2V或
CBR循环; RAS ＃ =
t
RAS （ MIN ） ; WE＃ =
V
CC
-0.2V ; A0 -A11 ， OE ＃和D
IN
= V
CC
-0.2V或
0.2V （D
IN
可以被保持开启）
刷新电流：自（S版本）
平均供电电流： CBR与
RAS ＃
≥
t
保持低电平RASS （ MIN）和CAS ＃ ; WE＃ =
V
CC
-0.2V ; A0 -A11 ， OE ＃和D
IN
= V
CC
-0.2V
或0.2V （D
IN
可以被保持开启）
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
2
5V
笔记
2K
4K
2K
4K
SPEED刷新刷新刷新刷新单位
所有
所有
所有
-5
-6
-5
-6
-5
-6
-5
-6
1
500
150
110
100
110
100
110
100
110
100
1
500
150
90
80
100
90
90
80
90
80
1
500
150
140
130
110
100
140
130
140
130
1
500
150
120
110
100
90
120
110
120
110
mA
µA
µA
mA
5, 6
I
CC
3
mA
5, 6
I
CC
4
mA
5, 6
I
CC
5
mA
5, 7
I
CC
6
所有
I
CC
7
t
RC
300
62.5
300
31.25
300
62.5
300
31.25
µA
µs
5, 7
25
I
CC
8
所有
300
300
300
300
µA
5, 7
梅格4 ×4 EDO DRAM
D47.pm5 - 修订版3/97
7
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©1997,
美光科技公司
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
